缺陷密度相关论文
研究了能量为1 MeV的电子辐照对三结GaAs激光电池（LPC）性能的影响。不同剂量电子辐照后三结GaAs LPC光照下的I-V特性测试结果表明，三......
薄膜缺陷是影响红外激光薄膜元件抗激光损伤的重要因素之一,长期以来一直是人们关注和研究的问题.本文介绍了红外激光薄膜缺陷的种......
核材料的发展始终伴随着核电站反应堆的发展，核工程材料是建设反应堆的材料，是核材料的一种。反应堆工程材料除了应具有一般工程材料......
碳纳米材料因其表现出优异的电学、热学、力学和化学等性能，受到广泛关注。本文采用磁分散电弧热等离子体裂解气相烃类小分子(CH4、......
最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就......
工作在中波（35μm）的探测器具有广泛的应用。对于快速响应的光子探测器领域,Ⅱ-Ⅵ族的HgCdTe（碲镉汞）器件取得了很多重要成果,目前仍然......
台积电(TSMC)日前回应了稍早前分析师指称该公司28nm CMOS工艺存在着良率问题的说法。台积电欧洲公司总裁Maria Marced重申她与其......
用优良的绝缘材料聚酰亚胺制得了稳定的 LB 膜,介电和 C-V 特性测量表明它具有良好的绝缘性能,热稳定温度高达340℃以上,远远高于......
本文研究高能氩离子注入硅单晶片背面,对单晶片正面有源区里的重金属杂质等的吸杂效果.吸杂作用以少数载流子寿命的提高来衡量.结......
(一)砷化镓单晶中微沉淀物的EDS检测在早期的工作中曾对Ga As:Te和Ga As:Si中微缺陷的结构性质及其与杂质浓度的关系作了TEM研究,......
硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延......
研究了固溶处理温度对耐蚀马氏体时效钢力学性能的影响。研究结果表明,800℃固溶处理后的组织遗传了锻态的晶粒形态、尺寸及高密度......
随着器件尺寸缩小至亚微米，器件的稳定性和可靠性就显得更加重要。当电荷进出于浮栅下方的隧道氧化层时，氧化层逐渐失效，期间产生的陷......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
著名的科技期刊《国际半导体》杂志每年都要评选当年度的最佳制造厂。2005年的最佳制造厂已经评出,当选的是位于美国纽约州East Fi......
良率对产品具有至关重要的意义,因为它与成本、质量、性能、上市时间及交付时间这几项市场决胜因素息息相关.尤其是当决定采用一项......
采用热蒸发法镀制了单层YbF3薄膜，观察了薄膜表面主要的微观结构缺陷，研究了沉积温度对薄膜折射率与表面缺陷的影响，测量了薄膜施加沉......
介绍了ZnS薄膜缺陷的分类、特点及成因，在此基础上，采用电子显微镜与原子力显微镜对不同沉积方式沉积的薄膜进行了观察、分析与计算，......
通过对COSMIC-FFP模型的扩展优化提出了嵌入式软件系统度量的方法,从而解决了COSMIC-FFP模型不支持对含有复杂数学算法的嵌入式实......
该文首先介绍了上海软件度量基准体系，其次对缺陷的特征以及缺陷管理的意义进行了分析和研究，最后在上海软件度量基准体系收集的软件......
通过定量分析开发者能力水平对车载导航软件质量的影响,为软件项目开发中的人员配置提供了有效的辅助决策手段.研究了车载导航软件......
通过激光损伤实验,报道了GaN薄膜10.6μm CO2激光的损伤阈值是64J/cm2;为了改善GaN薄膜质量,对其进行了10.6μm CO2激光辐照处理,......
相较于传统的聚合物膜与分子筛膜,金属-有机框架(MOFs)薄膜材料具有结构多样化、孔隙率极高、取向性高、缺陷密度低等诸多优势,其......
核安全法规HAF003中明确指出关于核电厂安全级物项“必须对保证质量所必需的每一个工作步骤都进行检查。如果不能对已加工的物项进......
信息化企业越来越重视内部的信息工程项目代码质量，如何选择或定制简单、实用的代码质量评估模型已成为一个热门课题。本文结合作者......
缺陷是影响材料性能进而影响器件的关键因素,铜铟镓硒吸收层是铜铟镓硒基太阳能电池核心层,结合他人实验验证铜铟镓硒缺陷类型,采......
结合实例介绍了几种常用的、基于缺陷分类的缺陷分析方法，并对这些方法在缺陷分析过程中的应用进行了讨论。通过对这些缺陷分析方法......
太阳电池的钝化层直接影响太阳电池的性能,钝化层界面上固定电荷密度和缺陷密度是分析其钝化效果的关键参数.本文通过建立MOS模型......
缺陷预防系统是提高软件产品质量的一套行之有效的系统理论和方法.通过有效的构造并实施,可以大幅度提高软件产品的质量,提高软件......
薄膜表面缺陷密度统计是改进薄膜表面质量的重要依据。阐述了基于遗传算法的二维最大熵分割算法的原理及实现步骤。采用这种算法对......
为了探讨高温环境下石墨烯摩擦性能变化对其作为固体润滑剂性能的影响,采用原子力显微镜研究了单层石墨烯在空气中不同温度下退火......
采用垂直布里奇曼法生长了磷化锗锌(ZnGeP2,简称ZGP)晶体,研究了近红外吸收特性。紫外-近红外光谱仪测试了该晶体上、中、下三个部......
超细硬质合金粉末粒度细小,具有高的比表面积和缺陷密度,因而具有较高的烧结活性,呈现出与普通硬质合金不同的烧结特征.因此,针对......
不同厚度的La0．7Sr0．3MnO3（LSMO）外延薄膜被沉积到立方相的LaAlO3（001）单晶衬底上，XRD测试结果显示，LSMO外延膜的结构是单相的，具有与衬底相......
晶片在加工过程中要经过滚磨、切割、倒角等工序才能实现由单晶锭到单晶片的过程，并保持一定的直径和获得参考面。这一系列的机械加......
随着芯片尺寸不断缩小,3D NAND闪存的工艺整合复杂度越来越大,由于堆栈沉积层数增加、晶圆中心到边缘的厚度差异增大等原因,其可能......
本文较全面地介绍ＳＤＢ／ＳＯＩ技术，其中包括热键合机理和工艺、硅片减薄技术的机理和工艺以及ＳＯＩ材料的质量检验和分析。......
Pb基钙钛矿光伏电池是目前研究光电器件的热点话题,因为这种电池使用了铅(Pb)元素,造成了环境污染,所以寻找合适的Pb元素替代物成......
在介绍了薄膜缺陷的特点及成因的基础上,分析了YbF3沉积速率对红外激光薄膜表面缺陷密度的影响,得出了镀制激光薄膜所需的合适速率......
软件缺陷的概念在软件质量范畴中处于举足轻重的地位，软件缺陷度量是软件质量度量范畴内的核心度量。该文区分了错误、缺陷、故障、......
GaN基半导体材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SiC、金刚石......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
设计了单层MoS2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池结构,采用AFORS-HET模拟软件模拟了背场层的带隙、掺杂浓度和缺陷......
氧化镓(Ga2O3)单晶纳米带由于具有独特的性质在电子器件中具有潜在的应用,然而目前过小的接触面积使得基于这种纳米材料的器件制备......
