轻掺杂漏MOSFET相关论文
提出了一种适用于短沟道 L DD MOSFET的改进型参数提取方法 ,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法 ,提取偏压相关参数 ,保证了......
建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述 ,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的......
建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述，该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的LD......
提出了一种适用于短沟道LDD MOSFET的改进型参数提取方法，通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法，提取偏压相关参数，保证了线性回归......
