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InAs量子点低温盖层对其发光特性的影响
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术生长了InAs量子点及不同组分和厚度的量子点低温盖层, 采用光致荧光光谱(PL)和时间分辨荧光发......
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InAs量子点
量子点低温盖层
光致荧光谱
时间分辨谱
速率调制外延
InAs QDs
quantum gap layer
photoluminescence
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