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逻辑状态翻转相关论文
典型CMOS存储器总剂量辐照效应研究
本文通过改变存储器辐照时施加的偏置状态(动态检测或不加电)和不同剂量辐照后的退火条件,在线测得EEPROM和FLASHROM存储器逻辑状......
会议
存储器
总剂量辐照
逻辑状态翻转
退火条件
不同剂量
集成度
总剂量效应
抗辐射加固
温度条件
评估技术
偏置状态
动态检测
变化关系
转异常
试验
器件
价值
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