量子阱红外探测器相关论文
红外偏振探测可增强微弱目标的探测,大幅抑制云雾和杂散光的干扰,提高目标清晰度,在遥感探测、气象监测、抗干扰成像、分子手性检......
多光谱和偏振成像是目前和下一代红外相机的发展重点,与单纯利用光强度信息成像相比,窄带、多光谱成像和偏振成像能够提供更丰富的......
红外探测器是红外探测成像系统中最重要的核心部件之一。从二战期间第一个PbS可实用红外探测器的出现到如今正蓬勃发展的第三代大......
量子阱红外探测器(QWIP)是20世纪末发展起来一个新技术,与其它材料的红外探测技术相比,它具有可重复性高、加工工艺成熟、均匀性好......
量子阱红外探测器由于其材料的高均匀性、微纳加工工艺成熟、响应带宽较窄、重复性强等特点,成为目前红外探测领域的热门研究方向......
量子阱红外探测器是继碲镉汞红外探测器之后又一重要的可以在中、长波段和甚长波段工作的红外探测器件.它在长波红外探测、多色探......
为了提高长波红外量子阱探测器的光耦合效率和信噪比,以8.7μm为中心波长,设计和制备了量子阱亚波长微柱阵列结构.与已经报道的金......
介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况.结合热处理工艺,通过......
量子阱红外探测器（QWIP，Quantum Well Infrared Photo-detector）在响应速度、均匀性、抗辐照、多色集成和加工成本等方面的明显优势，成......
介绍了 AlGaAs/GaAs 多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm......
从实验、测试和计算结果出发,运用有限时域差分法(FDTD)和传统的模式扩展(MEM)理论,研究甚长波量子阱红外探测器(QWIP)几种衍射光......
报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集......
采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件......
量子阱焦平面探测器具有大面阵焦平面探测器重复性和均匀性好、成品率高、成本低等明显的产业化优势,在军民两用领域获得了广泛而......
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同......
在分子束外延生长量子阱材料过程中 ,分析了在不同的 Ga As/ Al Ga As异质结生长次序中 Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散......
提出了一种增强量子阱红外探测器耦合效率的双面金属光栅结构。采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器......
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μ......
为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-x......
从介观压阻效应出发,结合晶体的热膨胀,分析热应变对量子阱红外探测器的影响。其中,热膨胀指的是晶体的温度发生变化时所产生的应......
采用分子束外延方法在GaAs衬底上生长了n型掺杂的应变InGaAs/A1GaAs多量子阱结构,制作成3-5μm波段的量子阱红外探测器,响应峰值波......
采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器外延材料.通过对量子阱红外探测器材料特......
研究了卷曲量子阱红外探测器的应力状态变化及对光电性能的影响,发现拉应力使导带能级上移,压应力则使其下移,且双量子阱结构的卷......
从建模、仿真结果出发,加入表面等离激元效应,运用时域有限差分算法（FDTD）,研究中波量子阱红外探测器（QWIP）的近场效应和光耦合效率.重......
在量子阱红外探测器（QWIP）上制备光栅的目的是对垂直入射的红外辐射进行有效的耦合。为了研究光栅的光耦合性能，基于模式扩展理论，详细......
量子阱中能级位置的确定是获得量子阱红外探测器其它设计参数的基础.为了提供足够的载流子跃迁,阱层一般为重掺杂层.重掺杂使半导......
为了得到高性能的量子阱红外探测材料,本文通过建立系统的材料设计、材料生长及材料表征体系,对面向工程化应用要求的单色以及双色......
量子阱红外探测器（QWIP）受到压强、掺杂浓度、温度等多种因素的影响，主要从温度对带隙影响方面进行了研究。以QWIP中的能级公式和能级......
背面减薄技术对于提高量子阱红外焦平面探测器的性能有着重要的意义，通过衬底减薄能够缓解探测器芯片与读出电路的热膨胀失配，提高互......
量子阱红外探测器受到温度、压强等多种因素的影响,本文主要从温度方面进行了研究。在文献[2]的基础上,进一步推导了超晶格中热应......
采用金属有机物化学气相沉积法生长了两种不同结构参数GaAs/AlxGa1-xAs量子阱材料。利用傅里叶光谱仪分别对势垒中Al组分为0.20,0.......
采用MBE法制备了不同结构参数及不同阱中掺杂浓度的GaAs／AlxGahAs量子阱红外探测器外延材料。通过对量子阱红外探测器材料特性和器......
介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况。结合热处理工艺,通过......
量子阱红外探测器(Quantum well infrared photodetector,QWIP)已经经历了20多年的深入研究,各种QWIP器件,包括量子阱红外探测器焦......
在量子阱红外探测器（QWIP）上制备光栅的目的是对垂直入射的红外辐射进行有效耦合。从实验、测试和有关文献出发，探讨了影响其耦合效率......
采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同......
采用n型GaAs/AlGaAs量子阱材料,反应离子刻蚀RIE设备进行光栅、像元分割刻蚀,制备了320×256格式的长波量子阱红外探测器,像元中心......
随着探测领域的不断扩大和深入,人们对高性能量子阱红外探测器的需求也越来越迫切。为了解决这一问题,从量子阱红外探测器性能对探......
为了提高长波量子阱红外探测器的灵敏度及探测率，采用表面等离激元效应来提高量子阱红外探测器中二维光栅的耦合效率。利用三维时域......
采用时域有限差分法研究了二维金属光栅量子阱红外探测器的电磁场分布,研究表明充分利用金属表面等离子效应可显著提高量子阱红外......
通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外......
对用MBE生长的GaAs／AlGaAs量子阱材料进行了衬底剥离，在此基础上制备了单元器件并测量了器件的黑体响应率以及光电流响应．实验解决了......
采用单能带电子有效质量近似（EMA）和波包函数近似（EFA）模型,考虑了能带非抛物线性等高阶因素,并利用投试法求解薛定谔方程,计算了准确......
Si微电子技术已取得巨大成功,然而由于体材料Si的间接带隙特性,发光效率比直接带隙的GaAs等化合物材料低五个量级,如何在硅基材料......
红外探测器在许多领域都有着广泛的应用。较之于目前居主导地位的碲镉汞红外探测器而言,量子阱红外探测器的材料生长、器件制作工......
