量子阱红外探测器相关论文
红外偏振探测可增强微弱目标的探测,大幅抑制云雾和杂散光的干扰,提高目标清晰度,在遥感探测、气象监测、抗干扰成像、分子手性检......
多光谱和偏振成像是目前和下一代红外相机的发展重点,与单纯利用光强度信息成像相比,窄带、多光谱成像和偏振成像能够提供更丰富的......
红外探测器是红外探测成像系统中最重要的核心部件之一。从二战期间第一个PbS可实用红外探测器的出现到如今正蓬勃发展的第三代大......
设计了一种直接注入(Direct Injection)方式的16×16阵列、基于QWIP的红外焦平面阵列的CMOS读出电路。该设计采用电流存储电路对暗......
由于量子阱红外探测器(QWIP)具有光吸收系数小、暗电流大等缺点,因而在设计其读出电路的光电流注入和暗电流抑制模块时困难比皎大......
红外激光器(包括宽带可调谐量子级联激光器和频率梳)技术取得显著进展，红外激光光谱技术有望得到普遍推广。当前红外量子阱级联激光......
本文报道了在国内率先研制的64×64元GaAs/AlGaAs多量子阱长波红外焦平面的最终结果,介绍了探测器的制备过程及基本特性.......
量子阱红外探测器(QWIP)是20世纪末发展起来一个新技术,与其它材料的红外探测技术相比,它具有可重复性高、加工工艺成熟、均匀性好......
量子阱红外探测器由于其材料的高均匀性、微纳加工工艺成熟、响应带宽较窄、重复性强等特点,成为目前红外探测领域的热门研究方向......
量子阱红外探测器是继碲镉汞红外探测器之后又一重要的可以在中、长波段和甚长波段工作的红外探测器件.它在长波红外探测、多色探......
长波红外偏振探测器能够大幅提升对热成像目标的识别能力.受制于衍射极限的物理限制,目前的微线栅偏振片型长波红外偏振探测器的偏......
暗电流是构成InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声的主要因素。研究发现As4和As2两种分子的不同分子态对暗电流水平有很大的影......
为了提高长波红外量子阱探测器的光耦合效率和信噪比,以8.7μm为中心波长,设计和制备了量子阱亚波长微柱阵列结构.与已经报道的金......
由于量子阱红外探测器(QWIP)具有光吸收系数小、暗电流大等缺点,因而在设计其读出电路的光电流注入和暗电流抑制模块时困难比......
红外技术对高性能、低成本红外探测器的应用需求，决定了对高品质的红外探测材料及其器件不断的追求、探索与发展。量子阱低维红外探......
本文介绍了半导体自旋电子器件材料、自旋注入方法以及器件的研究进展。对于半导体自旋电子器件的研究不但有着重要的理论意义,而......
本文介绍了一台高频斯特林型脉冲管制冷机,采用小孔阀、惯性管和双向进气的调相方式,制冷机的最低制冷温度达到了35K,在40K获得了4......
根据报导用Raman散射,可迅速预测出给定多量子阱超晶格结构材料下可制出的红外探测器响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外......
本文报道了我国对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器焦平面器件的成功研制,介绍了通过荧光光谱测量获得器件响应波长的方法.......
介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况.结合热处理工艺,通过......
量子阱红外探测器（QWIP，Quantum Well Infrared Photo-detector）在响应速度、均匀性、抗辐照、多色集成和加工成本等方面的明显优势，成......
传统的量子化学方法以及固体物理方法往往难以同时兼顾多种纳米尺度的理论模拟，尤其是大纳米尺度的量子器件更是给理论研究带来了巨......
在过去的十年里,表面等离激元由于其自身特性,使得人们可以突破光学衍射极限,利用金属纳米结构可以在纳米尺寸上对光进行操控,从而......
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(QWIP)技术是上个世纪90年代发展起来的。与其它红外探测技术相比，QWIP 具有响应速度快、探测率与HgCd......
该文对闪锌矿结构半导体量子阱中的子带光跃迁现象进行了理论和实验研究.传统的观点认为量子阱中导带子带跃迁只存在TM模式光激发,......
GaAs基QWIP由于具有优异的材料均匀性、灵活的能带剪裁以及成熟的生长制备工艺等优势在红外探测领域具有广泛的应用前景，但传统的Ga......
用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光......
研究了单轴压应力对GaAs/AlGaAs/GaAs量子阱红外探测器(QWIP)吸收波长的影响。以量子阱电子干涉方法以及单轴压应力作用下量子阱应......
介绍了 AlGaAs/GaAs 多量子阱红外探测器(QWIP)暗电流与噪声的关系和降低暗电流的途径;基手湿法化学腐蚀工艺制作了300μm×300μm......
从实验、测试和计算结果出发,运用有限时域差分法(FDTD)和传统的模式扩展(MEM)理论,研究甚长波量子阱红外探测器(QWIP)几种衍射光......
报道了128×128 AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs集......
采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件......
量子阱焦平面探测器具有大面阵焦平面探测器重复性和均匀性好、成品率高、成本低等明显的产业化优势,在军民两用领域获得了广泛而......
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同......
在分子束外延生长量子阱材料过程中 ,分析了在不同的 Ga As/ Al Ga As异质结生长次序中 Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散......
提出了一种增强量子阱红外探测器耦合效率的双面金属光栅结构。采用三维时域有限差分算法(3D-FDTD)对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器......
采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长Ga As/Al0.3Ga0.7As量子阱材料,制备300μm×300μm台面,内电极压焊点面积为20μm×20μ......
为了确定束缚态到准束缚态工作模式QWIP响应波长与势垒高度关系,采用金属有机物化学气相沉积法生长制备势垒高度不同GaAs/AlxGa1-x......
从介观压阻效应出发,结合晶体的热膨胀,分析热应变对量子阱红外探测器的影响。其中,热膨胀指的是晶体的温度发生变化时所产生的应......
