在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作......

采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的与GaAs衬底匹配（AlxGa1－x）0.51In0.49P外延材料的折射率．实验中测量的反射......

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InP、InGaAs P等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料具有电子迁移率高、禁带宽度大、多数为直接跃迁带隙材料等特性,可用于制备高速、高频半导体器......