本文研究了利用金属有机物化学汽相淀积系统(MOCVD)生长高质量不同Al组分AlxGa1-xN薄膜(0.13＜x＜0.8).扫面电子显微镜(SEM)照片表明生......

为了解决材料的界面平整度，改善材料的晶体质量，在Ⅲ-Ⅴ族氮化物（InGaN）材料的生长过程中，加入了Al掺杂剂。实验发现，InGaN材料的双晶衍......

利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)一次外延生长了含有2个有源区的隧道带间级联双波长可见光半导体激光器(LD)材料.其隧道结为GaA......

生长短周期ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超晶格，并通过双晶Ｘ射线衍射谱，对ＭＯＣＶＤ超薄层ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓ的生长进行了研究。从衍射谱卫星峰的级数及Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｏｎｇ干涉条纹的出现，定性地对晶格结构及界......

报道了在光辐射加热低压ＭＯＣＶＤ（ＲＴＰ／ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）系统上，用Ｓｉ衬底成功生长了ＧａＮ外延薄膜。利用ＸＲＤ、拉曼光谱、霍耳测量及室温光致发光谱对外延薄膜进行了表征，初步的......