铟镓氮相关论文
传统的ABC模型主要用于研究InGaN量子阱中载流子的复合动态过程。使用传统的ABC模型计算载流子的复合速率和复合寿命，研究不同发光......
氮化镓及其相关的合金半导体材料是替代第一代（Si、Ge）和第二代（In P、Ga As）的第三代化合物半导体之一,由于其更为优异的光电性能,近......
通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN......
自20世纪90年代中期以来．高亮度发光二极管（HBLED）市场经历了一段相当惊人的增长历史。第1批进入市场的高性能发光二极管是由铟镓铝磷......
为了解决材料的界面平整度，改善材料的晶体质量，在Ⅲ-Ⅴ族氮化物（InGaN）材料的生长过程中，加入了Al掺杂剂。实验发现，InGaN材料的双晶衍......
利用深能级瞬态谱(DLTS)仪对SiC衬底上GaN基光发射二极管(LED)中n-In025Ga0.75N层的深能级进行了研究.在77 K到300 K的温度扫描范......
基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载......
Ⅲ族氮化物以及它们的合金在光电子和微电子器件上的广阔的应用前景,引起了人们极大的关注。InN作为Ⅲ族氮化物中的一员,是能隙最......
III族氮化物半导体材料以其优异的特性正在发挥着越来越广泛的作用。以GaN基蓝光、绿光及深紫外LED为核心技术的半导体照明技术正......
GaN基半导体材料与器件由于具有击穿场强高、电子迁移率高、电子饱和速度大、耐高温、抗辐照等优点,吸引了越来越多的关注。经过几......
学位
Ⅲ族氮化物半导体材料的禁带宽度可从0.7eV到6.2eV连续变化,覆盖了从近红外到紫外波段光谱范围,同时基于其优良的光电及化学性质,......
高质量材料的制备,对基础学科的发展及器件制备至关重要。为实现高质量氮化物材料的外延生长,需要不断探索材料生长动力学、热力学......
