铟镓氮相关论文
提出了一种In0.4Ga0.6N/GaN同型异质结构IMPATT二极管.传统GaN基IMPATT器件中存在P型GaN制造工艺不成熟的问题,本研究方案可成为Ga......
运用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上外延生长铟镓氮薄膜,该薄膜为单晶,其中铟组份可调(从0到26﹪),且对应的峰值......
传统的ABC模型主要用于研究InGaN量子阱中载流子的复合动态过程。使用传统的ABC模型计算载流子的复合速率和复合寿命，研究不同发光......
介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。
The structure and perfor......
含氮的Ⅲ-Ⅴ族合金InxGa1-xN,由于其在光电器件、高密度光数据存储的、高功率转换方面的应用,受到了广泛关注。为了解释能带随......
氮化镓及其相关的合金半导体材料是替代第一代（Si、Ge）和第二代（In P、Ga As）的第三代化合物半导体之一,由于其更为优异的光电性能,近......
铟镓氮三元合金由于其独特的物理特性，广泛应用于光电器件领域。其高抗辐射性、高导热性、高吸收因子，特别是直接可调的带隙，使其成为......
近年来，微型化是半导体固态物理技术领域的发展趋势。现代半导体器件中关键单元的横向和纵向典型尺寸都已经达到纳米量级。自从1980......
GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。近年来，由于AlInGaN四元合金在半导体光电子器件中的应用有很大的潜......
近年来，作为GaN基发光二极管(LED)有源区的InGaN/GaN多量子阱(MQW)得到了广泛地研究，并且InGaN基蓝光LED在商业上已取得了巨大成功。......
采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上,外延生长了发光波长位于407nm的InGaN量子点结构,研究了InN成核层技......
通过对不同厚度的p-InGaN样品进行环形传输线欧姆接触实验,发现p-InGaN与Ni/Au的比接触电阻随InGaN层厚度的增大而增大,且当InGaN......
利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升......
介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时分，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。......
为了解决材料的界面平整度，改善材料的晶体质量，在Ⅲ-Ⅴ族氮化物（InGaN）材料的生长过程中，加入了Al掺杂剂。实验发现，InGaN材料的双晶衍......
美国俄亥俄州立大学提出使用锌锡氮化物提高长波铟镓氮发光二极管效率（辐射波长为600nm）。虽然该工作是理论上的,俄亥俄州立大学赵教......
采用MOCVD技术在Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜，以卢瑟福背散射／沟道（RBS／Channeling)技术和光致发光（PL）技术和InxCa1-xN/GaN/Al......
分析了用金属有物气相外延方法（MOVPE）在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮（InGaN)的光致发光（PL）性质。发现在4．7K至300K范围内，随着温度升高，InGa......
采用Monte—Carlo模拟与实验研究相结合的方法，针对大功率InGaN蓝光LED进行了电子束辐照效应研究。根据InGaN蓝光LED芯片材料的特点......
利用深能级瞬态谱(DLTS)仪对SiC衬底上GaN基光发射二极管(LED)中n-In025Ga0.75N层的深能级进行了研究.在77 K到300 K的温度扫描范......
基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载......
InGaN基半导体材料作为第三代直接带隙半导体材料的代表,并且发光波长从可见光到近红外连续可调,是制备固态光电器件、微波功率器......
III族氮化物半导体材料以其优异的特性正在发挥着越来越广泛的作用。以GaN基蓝光、绿光及深紫外LED为核心技术的半导体照明技术正......
GaN基半导体材料与器件由于具有击穿场强高、电子迁移率高、电子饱和速度大、耐高温、抗辐照等优点,吸引了越来越多的关注。经过几......
学位
Ⅲ族氮化物半导体材料的禁带宽度可从0.7eV到6.2eV连续变化,覆盖了从近红外到紫外波段光谱范围,同时基于其优良的光电及化学性质,......
高质量材料的制备,对基础学科的发展及器件制备至关重要。为实现高质量氮化物材料的外延生长,需要不断探索材料生长动力学、热力学......
