铜单晶体相关论文
对于块状金属单晶体而言，不同的晶体取向意味着其力学性能的差别.而样品厚度不同时，其力学性能也会表现出一定的尺寸效应，且样品越薄......
系统地研究了不同取向铜单晶体在常塑性应变幅下循环变形的疲劳极限.结果表明,铜单晶体的晶体取向强烈地影响其疲劳极限.随着晶体......
在不同塑性应变幅下对[233]共面双滑移取向铜单晶体进行疲劳变形直到饱和,然后在不同温度下对疲劳变形后的样品进行退火处理.利用......
总结了铜单晶体的应变疲劳行为与各种非晶材料的剪切断裂规律.结果表明:铜单晶体的应变局部化在中等应变范围以形成梯状驻留滑移带......
本文在塑性分切应变幅（γpl）为1．3×10-4－7．2×10-3范围内研究了双滑移取向铜单晶体的循环形变行为当γpl＜2×10-3，晶体的初始硬化速率θ0......
系统研究了循环形变铜单晶体中宏观形变带的产生规律和特征及相应的位错结构，并对其形成机制进行了综合探讨。结果表明，在不同取向铜......
在塑性分切应变幅(γ_(pl))约为10~(-4)～10~(-2)范围内,研究了共面双滑移取向[233]和单滑移取向[4 18 41](Shimid因子Ω=0.5)铜单晶......
系统讨论和总结了单滑移、双滑移和多滑移取向铜单晶体在循环形变中呈现的不同平台行为分析结果表明，晶体取向强烈影响对滑移和多滑......
通过对平行晶界同轴和非同轴铜三晶体及其组元晶粒铜单晶体、双晶体循环形变行为的研究，发现对于[001]同轴铜三晶体，三晶试样的轴向......
该文在一个较宽的塑性应变幅范围（Υｐｌ＝１．１×１０〈’－４〉－７．２×１０〈’－３〉）内研究了［０１１］多滑移取向铜单晶体的循环形变行为。结果表明，［０１１］晶体具有较低的初始硬化......
本文采用分离式霍普金斯压杆装置(SHPB)和扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)、电子背散射衍射(EBSD)技术研究了不同取向疲劳态铜单晶......
系统研究了循环变形铜单晶体中的宏观形变带的产生规律和特征以及相应的位错结构,并对其形成机制进行了综合探讨.结果表明,形变带......
研究了不同取向铜单晶体的循环硬化行为结果表明，晶体取向对双滑移和多滑移取向铜单晶 体的循环硬化行为有强烈的影响不同取向钢单......
本文在一个较宽的塑性应幅范围内研究了「００１」多滑移取向铜单向循环形变行为。结果表明，「００１」晶体的循环形变行为明显不同于「００１」和「１１１」......
介绍了扫描电镜电子通道衬度技术，该技术可以很好地观察材料中位错结构、用这种技术观察受循环载荷作用的铜单晶中的典型位错结构，与......
系统研究了循环形变铜单昌体中宏观形变带的产生规律和特征及相应的位错结构，并对其形成机制进行了综合探讨。结果表明，在不同取向铜......
系统讨论和总结了单滑移，双滑移和多滑移取向铜单昌体循环形变中呈现的不同平台行为。分析结果表明，晶体取强烈影响双滑移和多滑移铜......
以随机分布在主滑移面上的3000个平行正负直刃型位错作为初始组态,采用离散位错动力学方法,模拟循环形变铜单晶体的自组织位错结构......
系统研究了循环变形铜单晶体中的宏观形变带的产生规律和特征以及相应的位错结构，并对其形成机制进行了综合探讨。结果表明，形变带的......
本文在塑性分切应变幅（γpl）为1．3×10-4－7．2×10-3范围内研究了双滑移取向铜单晶体的循环形变行为当γpl＜2×10-3，晶体的初......
本文系统研究了「０１１」多滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下循环饱和后的表面滑移特征。结果表明，「０１１」多滑移取向铜单晶体的疲劳极限......
对含驻留滑移带（ＰＳＢ）的「１２３」取向的疲劳Ｃｕ单晶体，进行了高密度脉冲电流处理，结果表明，高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了ＰＳＢ－基体界面的应力......
Influence of external constraint and rolling geometry on deformation banding of copper single crysta
In order to further understand the similarity and difference between deformation mechanisms of single crystals and polyc......
据海外媒体报道,日本佐贺大学、产业技术综合研究所和理化研究所的科研人员日前联合发表新闻公报称,他们利用氧化铜单晶体的脆性,......
利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察研究了[4 18 41]单滑移取向铜单晶体在不同塑性应变幅下的疲劳饱和位错结构及其在不同......
在室温下采取恒塑性应变幅控制研究了单滑移取向[123]铜单晶体的循环形变过程.塑性应变幅为1×10-3.通过扫描电子显微镜-电子......
介绍了扫描电镜（SEM）电子通道衬度（ECC）技术．该技术可以很好地观察材料中位借结构，用这种技术观察受循环载荷作用的铜单晶中的典型位错结......
本文系统测量并总结了不同类型双滑移取向铜单体循环变形中滞后回线性形状参数ＶＨ随循环周次Ｎ的变化关系，结果表明，与单滑移晶体不同晶体......
用扫描电镜的电子通道衬度技术研究了「００１」取向铜单晶中的疲劳位错结构。结果表明，ＳＥＭ－ＥＣＣ技术不仅可以真实地，全面地显示疲劳位错组态，而且还......
在塑性分切应变幅为１．２×１０＾－４－６．５×１０＾－３范围内，系统研究了临界双滑移取向「０１７」铜单晶体的循环形变行为，并将其与「０３４」临界双滑移及「００１」和「０１１」......
研究了实际生长的铜双晶体（ＲＢ），组合双晶体（ＣＢ）及其组元单晶体（Ｇ１，Ｇ２）在总应变幅控制下的循环应力－应变响应，结果表明在相同应变幅下轴向应力幅随循环......
用扫描电镜（SEM）的电了通道讨度（ECC）技术研究了[001]取向铜单晶中的疲劳位错结构结果表明，SEMECC技术不仅可以真实地、全面地显示疲劳......
不同取向铜单晶体的循环形变行为和循环形变过程中形成的疲劳位错结构多年以来就是众多研究者所关注的课题。目前,人们虽然对不同......
关于层错能(SFE)对面心立方(FCC)金属晶体疲劳位错结构的影响已经取得了较为系统的研究结果,但其对疲劳位错结构热稳定性的影响研......
铜单晶体是面心立方结构晶体的典型代表,研究者们对不同取向铜单晶体的循环变形行为和变形后的微观位错结构进行了大量的研究,得到......
在实际工程应用中,材料的力学性能往往随服役过程中疲劳损伤的累积而下降。因此,揭示预疲劳损伤对材料力学性能的影响规律与机制具......
