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在28 nm CMOS技术节点,锗硅技术在器件沟道产生压应力可以提高PMOS电学性能.在选择性锗硅外延工艺基础上对锗含量进行细化阶梯分布......
伴随着CMOS技术集成度的日益增大以及关键尺寸的日渐缩小,传统CMOS工艺中采用的应力拉升方式已经无法满足器件对于PMOS驱动电流的......