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键合电压相关论文
埋氧层及铝层对SOI/玻璃静电键合的影响
介绍了SOI/Pyrex玻璃静电键合的实验过程和实验现象,利用电流表对静电键合电流进行测量。发现埋氧层厚度越厚,键合电流越小,键合波扩散......
期刊
绝缘体上的硅
阳极键合
埋氧层
键合电压
SOI anodic bonding buried oxide bonding voltage
埋氧层对SOI/玻璃键合的影响及其键合工艺的改进
运用阳极键合技术,对绝缘体上硅(SOI)/玻璃进行阳极键合实验,发现当埋氧层厚度超过500nm时,键合很难成功.分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电......
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绝缘体上硅
阳极键合
埋氧层
键合电压
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