埋氧层相关论文
最近几年以来，基于SOI硅片的微纳加工技术——尤其在高灵敏度微悬臂梁传感器制作领域，已经得到了越来越多的研究。为了在SOI片上获得......
本文分析了微电子新技术Strained-SOI MOS器件的基本结构,讨论了用注氧隔离的方法制备器件的方法与步骤,阐述了Strained-SOI MOS器......
介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析设计方法．在对电场分析的基础上，提出了新的电离率模型，并求出了电离率积分的准......
SOI（绝缘体上硅）器件在总剂量辐照下的主要性能退化是由于SOI器件的背栅阈值电压漂移引起的背沟道漏电。本文首先采用二维有限元方法......
利用低剂量、低能量的SIMOX(separation by implanted oxygen)图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备．在二氧化硅掩膜尺寸为172......
期刊
通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程,建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURF SOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模......
介绍了SOI／Pyrex玻璃静电键合的实验过程和实验现象，利用电流表对静电键合电流进行测量。发现埋氧层厚度越厚，键合电流越小，键合波扩散......
提出一种基于SDB技术的非平面埋氧层SOI材料制备方法.其关键技术包括：通过干法刻蚀、高压氧化和淀积二氧化硅获得高质量非平面埋氧......
运用阳极键合技术，对绝缘体上硅（SOI）／玻璃进行阳极键合实验，发现当埋氧层厚度超过500nm时，键合很难成功．分析了SOI埋氧层厚度对耗尽层电......
详细研究了一种基于薄埋氧层及三层顶层硅衬底(Triple-Layer Top Silicon,TLTS)的SOI高压LDMOS器件。该结构在SOI介质层上界面的顶......
在这个快速发展的社会中,高压集成电路被广泛的应用在各个领域,而在高压集成电路中,LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semico......
高压功率器件与低压集成电路器件之间的隔离问题是功率集成电路研究的重点问题之一。由于SOI(Silicon-on-Insulator)技术能为功率......
