为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管（VDM OS）模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描......

研究了在LPLV CMOS工艺中,用表面沟PMOS管工艺使NMOS管的阈值电压发生偏移的问题.在使用表面沟PMOS管的LPLV CMOS工艺中,NMOS管的......