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阻挡穿透位错比例相关论文
条型纳米图形衬底结构设计及InP/GaAs材料侧向外延生长
由于硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的单片集成可以突破摩尔定律的限制,使其在硅光子学、光学互连和Complementary Metal Oxide Semiconduc......
学位
InP/GaAs
异变外延
金属有机化学气相沉积
纳米图形衬底
侧向外延
阻挡穿透位错比例
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