侧向外延相关论文
采用条形Al掩模在Si(111)衬底上进行了GaN薄膜侧向外延的研究。结果显示,当掩模条垂直于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,G......
尝试用侧向外延 (ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度 .侧向外延是在SiO2 /GaN/GaAs图形衬底上进行的 ,对生长所得的立方相GaN......
GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力。目前降低位错最广泛的方......
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区......
为解决目前外延生长技术存在的弊端,总结了新的侧向外延方法以减少GaN中的位错密度,提高晶体质量。主要研究了在蓝宝石图形衬底上......
春季星座的观测方法在春季的夜空中,最容易分辨的就是勺子形状的大熊座北斗七星。观察春季的星（？）,首先要在北边的天空中找到北斗七星......
利用金属有机物气相外延法(MOCVD),在GaN/蓝宝石复合衬底上,采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜,并对其进行扫描电镜、X......
文章首先介绍了发光二极管（LED）的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法，接着对LED外延的结构和方法做了简要介......
由于硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的单片集成可以突破摩尔定律的限制,使其在硅光子学、光学互连和Complementary Metal Oxide Semiconduc......
采用侧向外延（ELOG）方法，在制作了条形掩膜图形的GaN衬底上用MOCVD生长高质量GaN、AFM，化学湿法腐蚀及TEM分析表明：采用两步法ELOG生长......
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅（SOI：silicon-on-insulator）衬底上侧向外延生长了GaN薄膜。利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN......
