采用金属有机化学气相沉积方法在无掩模的直径为400nm的圆柱Si(100)图形衬底上外延生长了GaAs薄膜。图形衬底采用纳米压印技术及反......

发光二极管（LED）诞生于20世纪中期,发展至今,LED的应用已经是随处可见,被誉为人类的第四代照明器件。LED具备响应时间短、光谱可调范......

由于硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的单片集成可以突破摩尔定律的限制,使其在硅光子学、光学互连和Complementary Metal Oxide Semiconduc......

由于摩尔定律已经接近其极限,Si基芯片性能的提升变得越来越困难,而人们对带宽的需求又越来越大。解决这一挑战的可行性方案是将有......

伴随光电行业的发展,纳米尺度光子学的应用越来越广泛,光电子器件的特征尺寸越来越小,图形的复杂化程度也逐步提升。纳米压印以其......

随着全球信息化进程加速,各种新兴业务对网络带宽的需求迅速提升,推动了光通信与网络的发展,也对现有通信光电子器件的成本与性能......

利用异变外延在特定的衬底材料上获得高质量的异变外延层,可充分发挥两种材料系各自的优势,进而研制出高性能的光电集成器件与芯片......