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陷阱俘获电荷相关论文
FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOT......
期刊
EEPROM
隧道氧化层
陷阱俘获电荷
耐久性
擦写
阈值电压
电场
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