隧道氧化层相关论文
该文的工作主要围绕以下两个方面进行.1)模拟和验证了一种低成本的,以标准CMOS工艺为基础,无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技......
随着器件尺寸缩小至亚微米，器件的稳定性和可靠性就显得更加重要。当电荷进出于浮栅下方的隧道氧化层时，氧化层逐渐失效，期间产生的陷......
在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流......
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOT......
详细研究了Ｎ＾＋埋层－隧道氧化层－多晶硅电容和Ｐ型衬底－隧道氧化层－多晶硅电容在高场应力下的高频Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性的漂移，以及两种电容在隧道氧化层......
介绍了EEPROM的电学模型，模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系．根据模拟结果，采用0．6μm CMOS工......
文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效，从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体......
本文在测试分析N+理层—隧道氧化层一多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP......
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅......
单片微型机(Single Chip Microcomputer),简称单片机,又称微控制器(MCU-Micro Controller Unit),具有体积小、功能强、性能全面、......
