激光退火相关论文
图形化GaN、AlN或蓝宝石衬底,已被业内证明是提高薄膜质量的有效方法,而激光作为单步制备微/纳米结构的一种新方法已应用于很多领......
有机薄膜晶体管（OTFT）以其可低温溶液处理、分子结构设计灵活的优势在存储器、传感器、有机集成电路等有机电子领域备受关注,而商业......
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不......
主要介绍了当激光入射到单晶金属A12O3／Al(111)表面时将发生二次谐波产生(SHG)现象的实验装置和实验方法，利用该装置可以研究SHG和从......
利用傅里叶变换拉曼散射技术研究了CdTe表面的拉曼散射信号与激发光功率的关系,并对实验结果进行了分析和定性解释。......
介绍了利用KrF准分子脉冲激光对氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行激光退火以实现薄膜的结晶化。利用等离子增强化学气相沉积(PECV......
分别利用中频磁控溅射(MFS)方法和微波电子回旋共振(ECR-MW)等离子体方法制备了Yb:Er共掺AlO薄膜,研究了氧气与氩气比例、样品荧光......
利用连续Ar<sup>+</sup>激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd<sub>2</sub>Si/GaAs(6.9×10<sup>17</sup>cm<sup>-3......
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
利用小功率40kHz的CO2脉冲激光对25μm厚的超薄熔石英玻璃与熔石英毛细管端面进行热熔焊接,研究和分析了占空比(脉冲激光功率)、离......
Ge材料中n型杂质激活的电子浓度偏低,以及费米能级钉扎效应导致的金属与n型Ge接触电子势垒高度偏大,使金属与n型Ge接触电阻较大。......
设计了一套用于准分子激光低温多晶硅制备的线光束整形系统。系统中设置的光斑转换模块可使原始光束截面横纵倒置;利用扩束模块对......
随着半导体产业的蓬勃发展,互补金属氧化物半导体元器件的尺寸不断微缩,其纳米制程对快速热退火工艺的要求也日益苛刻。在激光尖峰......
激光退火技术,以较低的热预算,可以在瞬间达到较高的退火温度,工艺过程高度可控,制程可重复性好,已经广泛应用于半导体工业界.本文......
透明导电氧化物（TCO）因同时具备透光性和导电性成为了微电子和光电行业重要的基础材料,并被广泛地应用在太阳能电池、发光二极管、液......
离子辐照技术能量输入高效,对材料的宏观性能与微观结构均产生重要影响,而激光退火技术能够对材料表面结构产生有效的调制作用。本......
近年来随着半导体产业的发展,芯片上单位面积所容纳晶体管的数量以摩尔定律的规律不断增加,大概每两年就会翻倍,这就要求相应的半......
铁酸铋(BiFeO3,BFO)是一种在室温下同时具有铁电性和反铁磁性的多铁材料,近年来吸引了无数学者的研究,铁酸铋／铁磁(BFO/FM)双层膜体......
显示市场正朝着柔性和大尺寸的方向发展,金属氧化物薄膜晶体管（MOTFT）有迁移率高（1-100cm2/Vs）、薄膜均匀性好等优点,成为有源矩阵液晶......
未来一段时间半导体市场整体是逐渐增长的,尤其是以5G、Al等深度学习芯片以及大数据和云计算等应用推动集成电路芯片需求的不断增......
采用高温固相反应法制备了不同掺Tb浓度的CaSrSiO4纳米荧光粉.TEM照片显示粉末颗粒为球状,直径30～50 nm.XRD主要衍射峰与CaSrSiO4基......
美国海军研究所的一组科学家已发展一项激光退火技术,可以改进高密度光电探测器列阵系统的每一个单元的性能特性。该技术并不取代......
用150瓦连续波CO_2激光束照射硅片,观察到了其氧化层错的消除现象,并对消除机理进行了探讨。
A 150-watt continuous wave CO2 la......
单晶硅几乎是每种近代半导体电子器件的心脏部分。制造这种器件需要经过一系列复杂的工艺步骤,其中包括引进少量杂质以调整所要求......
集成电路正向高速、高集成度、高可靠性、低成本和低功耗方向发展,正在按比例缩小单元尺寸,因此迫切需要微细加工、薄层外延、低......
随着现代制造工业的发展对材料性能要求的不断提高,促进了镍磷基合金镀层的发展,开发具有多功能及性能优良的镍磷基双合金沉积层成......
化学镀由于其优异的性能已广泛应用于实际生产中,同时化学镀层是否能适应恶劣环境,特别是腐蚀性环境也受到广泛的关注。本课题采用......
稀土掺杂材料在许多领域，如能源、环保和军事等领域，都有着广泛的应用，在光学理论和应用研究中也发挥了重要作用，包括白光LED、激光器......
采用功率密度分别为 30 0、75 0和 15 0 0W /mm2 的氩离子激光器 ,对由射频等离子化学气相沉积 (RF CVD)法制备的掺氮类金刚石薄膜......
随着器件尺寸缩小,浅结、超浅结的制作日益成为重要的工艺模块。对于22nm及以下技术代来说,除了采用低能离子注入获得极浅的原始注......
利用脉冲YAG激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火实验 ,分析注入退火引起的样品电学性质......
利用YAG脉冲激光器(脉宽为10 ns,波长为1.06 μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火,分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样......
利用YAG脉冲激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火 ,分析离子注入及激光退火引起的样品电......
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理......
采用聚苯乙烯(PS)纳米小球自组装技术结合激光退火方法制备了三种不同尺寸纳米银球阵列,研究不同尺寸纳米银球阵列对非晶掺氧氮化......
硅薄膜及其太阳电池研究已经成为国际光伏领域研究的热点,但硅薄膜太阳能电池在生产工艺上存在成本较高的问题,其中非晶硅薄膜的退......
采用传统降温法,利用高纯原料从氘化程度为80%的溶液生长了四方相磷酸二氘钾(DKDP)晶体,并按Ⅱ类三倍频方式切割晶体。三倍频用DKD......
氮掺杂二氧化钛的光催化活性能够被可见光激活,从而大大提高其对太阳光能的利用效率.为了解决材料晶化与氮掺杂在晶化过程中损失这......
采用XeCl准分子激光实现了碳化硅薄膜的脉冲激光晶化,对退火前后薄膜样品拉曼散射谱特征进行了分析,探讨了激光能量密度对纳米碳化......
讨论了激光退火工艺参量对镱铒共掺Al2O3薄膜表面形貌和退火均匀性的影响。薄膜样品被置放于衰减扩束透镜的3倍焦距位置时,薄膜上8......
期刊
利用脉冲激光沉积法在石英基底上沉积铜铟镓硒薄膜为前驱物,采用波长1 064 nm的近红外脉冲激光在不同能量密度下对其进行退火晶化.......
主要介绍了当激光入射到单晶金属Al2O3／Al（111）表面时将发生二次谐波产生（SHG）现象的实验装置和实验方法，利用该装置可以研究SHG和从Al2O......
实用型大能量高功率准分子激光器广泛地应用于材料的加工及表面处理，介绍了其在液晶平板显示行业、太阳能光伏行业、半导体行业及汽......
利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶体的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理......
In order to improve the process precision of an XY laser annealing table, a geometric error modeling, and an identificat......
