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AlGaN是一种直接宽带隙半导体材料,其禁带宽度随铝组分变化从3.4 e V至6.2 e V连续可调,覆盖200-365nm波段,能够实现日盲紫外光本......
设计了一种基于0．18μmCMOS工艺的高响应度雪崩光电二极管（APD）。该APD采用标准0．18μmCMOS工艺，设计了两个P＋／N阱型pn节，形成两个雪崩区以......
随着器件的尺寸的越来越小,一些传统的半导体器件的模拟方法都存在不可避免的局限性。在小尺寸领域,蒙特卡洛方法作为一种可靠的模......
紫外探测器是国防预警与跟踪、环境监测、电力工业以及生命科学等领域所急需的关键部件。与现有真空紫外探测器件相比,基于半导体......
雪崩光电二极管(APD)工作在足够的反偏下,光生载流子到达耗尽区并诱发放大过程。碲镉汞(MCT)电子和重空穴有效质量之间的非对称性......
对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器......
本文叙述了一种适用于1.0—1.4μm高性能光纤通信系统的高速度、高量子效率GaAIAsSb雪崩光电探测器的性能。这些APD和最新水平的FE......
雪崩光电二极管(APD)以其具有高内部增益的特性，在光电探测领域受到人们的青睐。APD发展至今，已拥有PIN、SAM、SACM和RCE等结构，器件......
为了实现可见光通信系统的探测器模块微小型化,设计并制作了一款50 cm~3的温控APD探测器模块,并对模块的稳定性、温控效果和噪声特......
