静电感应器件相关论文
论文结合实验结果和数值模拟对静电感应器件SIT的工作机制、I-V特性进行了系统的分析.首先给出了本征栅近似下的沟道电势、电场呈......
静电感应晶闸管(SITH)作为静电感应器件(SID)的一员,因其独特的优良特性,被许多人所青睐.该论文着重对它的动态特性进行了详细的分......
论文讨论了BSIT的基本器件物理,对BSIT反向阻断态的电势分布进行了解析分析和数值分析;对正向导通态采用分区近似法进行了分析.建......
该论文首次系统地分析了SIT、BSIT和SITH的工作状态和结构特点,提出了一些独立于其它场效应器件的新观点,建立了各自的物理模式,从......
对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究.结果表明:当使用高阻单晶材料(ND=1×1014cm-3)作为芯片的衬底和沟道,沟道的半宽度小......
静电感应器件（SID）是一类新型电力半导体器件的总称，它主要包括静电感应器件管SIT、双极型静电感应晶体管BSIT、静电感应晶闸管SITH等......
复合结构的静电感应器件李思渊，刘肃，刘瑞喜，杨建红（兰州大学）关键词静电感应器件，复合结构，Ｉ～Ｖ特性表面栅结构（Ｓ－－８）和埋栅结构（ＨＳ）作为静电感应器件的......
用磨角法测量扩散结深和横向扩散比例将遇到来自两方面的误差影响；斜角的影响和结面交连的影响。斜角的影响是主要的但往往被忽视，结......
对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究，结果表明，当使用高阻单晶材料作为芯片的衬底和沟道，沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且......
全面总结了本研究所２０年来独立自主完成的关于静电感应器件（ＳＩＤ）的开拓性研究成果，包括ＳＩＤ基本器件物理的理论研究，器件结构的研究，电性能的控制......
静电感应器件(Static Induction Device—SID)是一类新型的电力电子器件，主要包括双极型静电感应晶体管(BSIT)、静电感应晶体管(SIT......
静电感应器件(Static Induction Device——SID)是一类新型的电力电子器件,主要包括静电感应晶体管(Static Induction Transistor......
本论文首先介绍了静电感应晶体管SIT作用机理,在此基础上系统分析了材料参数、工艺参数和结构参数与器件电性能的关系。对各种特性......
