刻蚀工艺相关论文
阐述CMOS技术进入深纳米工艺节点，鳍式场效应晶体管以其优异的电学性能成为目前的主流器件。当工艺发展到Fin周期小于40nm时，开展自......
现代光学中，如何实现在纳米尺度上对光的调控是人们长期研究的问题，这对于能源和信息等领域的发展有着十分重要的研究意义。随着理论......
随着CIS技术的发展和广泛应用,小透光率(Transmission rate,TR)的浅沟槽刻蚀得到最为广泛的应用。针对浅沟槽刻蚀,特别是小透光率......
高性能石英玻璃材料及制品是半导体集成电路制造过程不可或缺的关键配套辅材.论文介绍了半导体刻蚀工艺原理、刻蚀过程用石英玻璃......
干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最......
分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶......
基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量......
用金属硬掩模层(MHM)进行一体化(AIO)刻蚀的工艺是40 nm节点后道工序的关键工艺技术。阐述了40 nm低功耗芯片工艺研发过程中,一体......
最新Flex系统提供业界首创的电介质原子层刻蚀(ALE)生产工艺并已应用于量产。半导体设备制造商泛林集团公司推出了基于Flex电介质......
针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材......
通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效......
相变存储器(Phase Change Random Access Memory,PCRAM)是一种具有优良性能的新型非易失性存储技术,具有良好的应用前景。相变材料......
随着纳米技术的飞速发展，小型化和微型化也已成为艺术创作的一种时尚。以雕塑为例，英国当代微雕大师威拉德借助显微镜，在针眼里成功雕......
基于聚合物材料的波导型电光器件对提升光通信网络的带宽容量具有重要的意义。设计并制备了一种基于有机/无机杂化非线性材料的准......
表面光陷阱结构对太阳能电池是非常重要的,其作用是提高太阳能电池的光电转换效率。本文制备了单晶硅绒面结构、硅倒金字塔结构和......
刻蚀机的温度控制系统是一个集制冷、加热、检测、控制为一体的温度循环控制系统,其利用温控的循环液体控制工作平台的温度,是一个......
由于有机聚合物在合成、加工、器件制备等方面相对容易,而且价格低廉,近年来,有机聚合物光波导材料及器件逐渐成为了一个研究热点......
气体传感器在大气环境污染监测、易燃易爆气体检测、毒害气体检测、疾病诊断以及军事武器等领域都有广阔的应用前景。由于传统的气......
纳米蛾眼结构是指结构的特征尺寸远小于作用光波长的一种结构，可等效于一个连续变化折射率的介质层，能够在一个较宽的波谱范围内抑制......
硅纳米线光电性能优异，具有直接带隙半导体的特征，在光伏及传感器件领域有较广阔的应用前景。硅纳米线可控性定位生长是其器件应用的......
随着激光科学技术的发展和大型高功率激光驱动装置的建立，对于激光器输出的能量要求逐渐提高（通常在千焦的量级以上），人们对激光系统中......
半导体硅材料是可大规模应用于太阳能电池的首选材料，硅基太阳能电池一直是光伏产业发展的主流产品。但由于晶体硅的光学带隙为1.1e......
近年来,随着现代先进制造技术的迅速发展,各种各样的新工艺新材料不断涌现,极大的推动了微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Sys......
当前,传统资源日益短缺,环境污染等问题突出,发展新能源技术是解决能源问题的有效手段。以染料敏化太阳能电池(DSSC)、纳米发电机......
本文主要的研究内容为不同衬底上的碳纳米管阵列的制备，结合扫描电子显微镜及拉曼光谱进行样品的表征。全文简要地介绍了碳纳米管及......
<正>Primo SSC AD-RIETM将在客户最先进的试生产线上投入运行上海和旧金山2015年7月9日电/--中微半导体设备有限公司(简称"中微")......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过......
论述了湿法刻蚀工艺产生的高含氟废渣的特点,通过实验得出固化稳定化方法处理此类废渣的优化条件,减少处置成本,提高处置效率。......
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了PZT薄膜,在600°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构.采用典型的半导体光刻工......
在概述微机电系统刻蚀工艺模拟研究进展的基础上,讨论了微表面反应模型法、单元自动控制法、基于刻蚀速率数据库的三维各向异性刻......
随着世界范围内对半导体产品需求的持续上扬,半导体发展已到了黄金时期.本文从半导体硅制造工艺的研究进展、化合物半导体技术的研......
本发明公开了一种Mo基／TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法，该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金......
针对复合钝化膜刻蚀均匀性差的问题,提出改进光刻工艺,通过温度控制提高复合钝化膜刻蚀均匀性的方法.......
采用三层胶光刻工艺以及ＳＦ６＋Ａｒ为反应气体的反应离子刻蚀工作，实现了小于０．５０μｍ的图形转移，并将此微细加工工艺应用于０．５０μｍＣＭＯＳ集成电路的制做。......
随着电子产品越来越多的得到使用,人们对能源产品也越来越多的考虑绿色、智能、轻便、低成本等因素。在众多的光伏器件之中硅器件......
与传统湿法腐蚀比较，干法刻蚀具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点。目前，刻蚀......
称为背照式(BSI)CIS的新颖CIS比传统的前照明(FI)CIS对光更敏感,且噪声小。BSI刻蚀中的关键参数是侧壁剖面角、微沟槽形成和硅损宏......
干法刻蚀从简单的去胶和有机物灰化这样的刻蚀初始阶段,经过了各种材料刻蚀工艺条件的选择和提高刻蚀图形的精确性、选择性等第二......
