深槽刻蚀相关论文
随着半导体制造工艺的飞速发展,集成电路工艺尺寸越来越小,硅片有效面积寸土寸金,深槽隔离技术开始被广泛应用于特殊器件的隔离工......
以SF6／C2H4为刻蚀气体，使用Corial200IL感应耦合等离子体（ICP）刻蚀系统，进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护......
本文针对军用夜视仪中的关键部件微通道板,简述了微通道板的基本原理,讨论了微通道板传统加工工艺的优缺点,并结合MEMS技术的发展,......
随着系统向高速度、低功耗、低电压和多媒体、网络化、移动化的发展,系统对电路的要求越来越高,在需求牵引和技术推动的双重作用下......
针对硅基MEMS湿法深槽刻蚀技术的难点,在硅材料各向异性腐蚀特性的基础上探索了湿法工艺。对腐蚀液含量、温度、添加剂含量对刻蚀......
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本论文首先介绍了静电感应晶体管SIT作用机理,在此基础上系统分析了材料参数、工艺参数和结构参数与器件电性能的关系。对各种特性......
本文研究了博世（Bosch）工艺的工艺参数及清洗工艺对刻蚀结果的影响。通过调节工艺参数（包括SF6气体的流量、工艺气压、上电极（Source）功......
为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求，对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的......
本文研究了高频（13．56MHz）和低频（380KHz）深槽刻蚀机，对SOI硅片深槽刻蚀横向切口（notching）效应的影响。结果表明：过刻蚀量（0E）在20％时，高频设备......
为了制作高速、高密度CMOS VLSI 电路,必须减小器件尺寸.但是,由于(?)沟道和p 沟道器件之间间距的限制,即若其间距太小,则会直接......
对埋栅型SIT,为切断栅极和源极（或阴极）之间在外延过程中形成的连体,打开栅电极区,进行外延后的台面刻蚀,对台面刻蚀的深度和形状进......
