夹断电压相关论文
为提高ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ静电放电失效阈值，通过ＥＳＤ实验前、后直流参数和热分布变化获取不足１０％的器件表现为永久性失效，而９０％以上的器件表现为潜在性失效的结果......
本文首次报道了高掺杂沟道的GaAs MIS SB FET.在S.I.GaAs衬底上用离子注入Si,同时形成高浓度、超薄的有源层和欧姆接触区,载流子峰......
本文将介绍紫外光擦除、电可编程序“唯读”存贮器—16KEPROM 的研制概况。重点介绍器件特点及制造工艺,提供存贮单元的写入机理、......
本文介绍了在研制16位微处理机Z8000CPU电路中,采用工艺模拟与实测相结合的方法,研究E/D MOS阈值电压与硼、砷注入能量和剂量间的......
GaAsMMIC控制电路中的开关MESFET通常是在栅极加0V或是负极性的夹断电压Vp来控制电路工作的。这样在许多电子系统的中会遇到将控制......
设计电路时，每当需要很高的输入阻抗、高工作频率和相对较低的噪声时，结型场效应晶体管便成为最佳选择。本文描述了一个简单的测试仪......
研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-......
考虑离子注入沟道和沟道深度的影响，提出了精确的离子注入4H—SiC MESFET器件夹断电压的理论计算方法．注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TR......
设计了一种250 V高动态阻抗恒流器件,通过在外延层中刻蚀填充氧化槽,形成体内横向沟道结构,提升恒流器件动态阻抗,使器件具有优异......
考虑空间电荷区杂质的非完全离化、SiC表面的界面态和反向漏电流等因素的影响,给出了较为精确的计算SiC-MESFET器件夹断电压的方法......
本文对场效应管所用材料的隔离层，δ调制掺杂层，势垒耗尽层等材料结构尺寸，异质结界面的二维电子气浓度，场效应管的夹断电压、沟道电流......
恒流器件作为最简单的恒流源,在恒流区间内可输出稳定电流,使用简单且成本低廉,广泛应用于LED驱动、电池充放电、器件参数测试与电......
恒流二极管具有很高的动态阻抗、很好的恒流性能以及负温度特性,被广泛应用于恒流源、稳压源、放大器以及电子仪器的保护电路中。......
<正> 由双极型晶体管组成的复合管具有高的电流增益,在各种电子电路中得到广泛的应用。但这种复合管仍是属于电流控制元件,输入阻......
由于LED与其他传统光源相比,具有启动快、能耗低、使用寿命长、方向性好、环保等优点,被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源,......
本文提出了一种场效应晶体管中电压控制的负阻的一般理论。按照源-栅电压、源-漏电压及夹断电压之间的关系,用数学的方法确定了负......
用发展了的单极晶体管理论,其中考虑了漂移速度饱和的影响描述和分析了单栅砷化镓 p—n 结场效应晶体管的高频和温度特性。由简明......
综述了砷化镓场效应管超高速逻辑电路的国外概况。说明了发展砷化镓场效应管超高速逻辑电路的必要性和可能性。介绍了所用的器件结......
根据夹断电压能确定可变电阻区与饱和区的分界点，使场效应管可靠地工作在饱和区的原理。研究了夹断电压的测试问题，介绍了测试场效应......
