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高k栅场板相关论文
4H-SiC功率UMOSFETs的设计与关键技术研究
宽带隙半导体材料碳化硅(SiC)具有大的禁带宽度、高的临界击穿电场、高热导率、和高电子饱和漂移速度等优良的物理化学特性,适合制......
学位
4H-SiC
UMOSFET
高k栅场板
击穿电压
比导通电阻
氧化模型
欧姆接触
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