高纯铜相关论文
随着半导体技术的飞速发展,对集成电路制造所需溅射靶材的要求进一步提高,由于铜及其合金具有电阻率低、导电性好、RC延迟低、冷却......
本文介绍了用于高纯铜、微合金化铜及复杂多元铜合金等高性能铜合金棒材、管材生产和试验的800吨挤压机的工艺设计。根据挤压产品......
高纯铜具有较好的导电性、延展性、抗腐蚀能力和表面性能,软化温度也较低,在极低温度下具有高导热性,优良的加工性能,被广泛用于电......
随着科学技术的发展,高性能铜材的应用范围逐渐扩大。在传统的铜及铜合金材料的基础上,高纯铜以其优异的导电性、导热性、良好的延......
研究了超声雾化 -ICP AES测定高纯金属铜中 10种痕量杂质元素的方法。采用离峰扣背景与基体匹配相结合的方法消除基体干扰 ,对实验......
建立了电解分离-电感耦合等离子体质谱法测定纯铜中17种杂质元素(Be,Mg,Al,P,Ti,Cr,Mn,Co,Ni,As,Se,Zr,Cd,Sn,Sb,Te和Pb)的方法。......
期刊
讨论分析了用电解法测定有色金属电刷的主要成分高纯铜含量的原理,探讨了在分析过程中易出现的问题及实验产生误差的几方面因为.......
本文利用电感耦合等离子发射光谱法（ICP-AES）测定高纯铜中的多种杂质元素Mn,Fe,Ni,Zn,Ag,Sn,Sb,P,As,Se。对入射功率、雾化压力等分......
用浓HNO3溶解高纯铜试样,电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)测定其中微量磷,并对试样处理、测试方法、提高灵敏度等条件进行了优......
通过模拟和试验手段研究了谐波和脉冲两种磁场的磁感强度和洛伦兹力在结晶器内部的分布特点及两种磁场对高纯铜熔体凝固行为和微观......
1 引言高纯铜(Cu＞99.95%)中,As,Sb,Bi,Fe,Pb,Sn,Ni和Zn测定时,受基体铜严重干扰,经分离富集后ICP-AES测定,不但耗时长,而且受空白值......
液晶显示行业对于高纯铜溅射靶材溅射效率及沉积薄膜均匀性要求不断提升,对于高纯铜溅射靶材的晶粒细化、均匀性要求也越来越高。......
为了研究挤压温度对高纯铜微观组织和变形行为的影响规律,通过反向挤压方式对高纯铜进行不同挤压温度下的挤压实验并观察了其显微......
研究终锻温度(120~450℃)对高纯铜组织及硬度的影响。结果表明:6道次锻造后,高纯铜试样心部均出现一个“X”形的细晶区。终锻温度......
采用一次电解工艺对紫金山金铜矿4N铜进行提纯制备5N高纯铜,并考察了电流密度、极间距及电解液温度等因素对5N高纯铜的影响。结果......
采用纯度99.99%的高纯铜进行30%、50%、70%、90%形变量冷轧加工,对不同形变量下高纯铜的晶粒尺寸、分布等微观组织及织构进行了定......
简要介绍了高纯铜溅射靶材目前的市场情况、现状、应用领域和未来高纯铜溅射靶材发展趋势;并对高纯铜溅射靶材的特性要求以及微观......
介绍了在高纯铜中加入0.1%～0.3%Zr元素后,材料的热处理工艺及性能的变化情况。研究表明,不同Zr含量对高纯铜合金锻件的最佳固溶温度......
高纯铜是制备铜标准物质、校准溶液的基础材料,其化学纯度是化学计量量值溯源的关键参数;同时,铜中痕量杂质的存在严重影响着材料......
本文介绍了在高纯铜中加入0.1%～0.3%(w)Zr元素后,材料的热处理工艺及性能的变化情况。试验研究表明,Zr含量变化对高纯铜合金锻件的......
为降低氧的空白,在不添加助熔剂的条件下建立了惰性气体熔融-红外吸收法准确测定高纯铜中痕量氧的分析方法。实验表明：称取0.8g左右......
