研究了采用高频 Plasma CVD技术在较低温度下 (30 0— 40 0℃ )生长以 Ga N为基的 - 族氮化物的可行性 ,在蓝宝石衬底上生长了 G......

研究了采用高频Plasma CVD技术在较低温度下（300-400℃）生长以GaN为基的Ⅲ-Ⅴ族氮化物的可行性，在蓝宝石衬底上生长了GaN缓冲层，热处理......

采用HF-PCVD法，在氩-氧等离子气氛中，将WCl6进行氧化反应，经骤冷制备出纳米级的WOx微晶。把WCl6进料温度为350℃时所得微晶用TEM、XRD......