切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
离子注入形成硅化物相的研究
离子注入形成硅化物相的研究
来源 :第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhoudm2005
【摘 要】
:
用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用XRD、SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌。分析表明在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注入离子剂量、束流密度及后续
【作 者】
:
肖志松
易仲珍
张通和
【机 构】
:
师范大学低能核物理研究所(北京辐射中心)
【出 处】
:
第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
强流离子注入
硅化物
掺杂
热处理条件
形成过程
束流密度
离子剂量
表面形貌
离子源
分析表
单晶硅
种类
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用XRD、SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌。分析表明在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注入离子剂量、束流密度及后续热处理条件紧密相关。对La硅化物的形成过程进行了讨论。
其他文献
大白菜抗根肿病近等基因系的分子标记辅助选育
以具有抗根肿病基因CRb的大白菜‘CR Shinkii DH’系为抗源,通过分子标记辅助选择选育出大白菜优良自交系‘BJN3’的9份抗根肿病近等基因系。通过CRb基因侧翼标记TCR01和TCR0
期刊
根肿病
近等基因系
优良自交系
CRb基因
背景选择
抗性鉴定
相关性状
抗源
连锁群
叶球
CoSi<,2>超薄层单晶的表面研究
会议
超薄层
单晶
W9Mo3Cr4V高速钢Ti+C双离子注入表面改性的研究
会议
高速钢
离子注入
Hg[*v1-x*]Cd[*vx*]Te多元光伏探测器的研制
会议
Er离子注入Si的微结构及其电特性分析
会议
离子注入
微结构
高剂量C<,+>注入改善高速工具钢表面的摩擦性能
会议
高剂量
工具
钢表面
离子注入CoSi#-[2]接触n+p和p+n结的形成与特性
会议
离子注入
SIMS在半导体生产中的应用
该文介绍SIMS分析技术在半导体生产中几个典型的应用实例:1.在材料分析方面的应用一鉴别杂质成份,2.在工艺分析方面的应用-了解工艺情况,3.在解剖分析方面的应用--获得器件内部组成成份,以此说
会议
半导体
生产
应用
组成成份
杂质成份
解剖分析
技术
工艺分析
材料分析
器件
鉴别
沟道技术分析As注入Si瞬态退火中晶格畸变对P-N结漏电的影响
会议
沟道
技术分析
瞬态
退火
晶格畸变
结漏电
束流强度对Y注入Si生成硅化物及其氧化行为影响
会议
束流强度
硅化物
氧化
与本文相关的学术论文