【摘 要】
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利用MSP-3200三靶共溅射镀膜机,射频磁控溅射在石英基底上反应溅射制备了单斜相(M相)VO2薄膜及W掺杂单斜相(M相)VO2薄膜。利用WVASE32椭圆偏振仪及变温附件在350nm2500nm
【出 处】
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TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
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利用MSP-3200三靶共溅射镀膜机,射频磁控溅射在石英基底上反应溅射制备了单斜相(M相)VO2薄膜及W掺杂单斜相(M相)VO2薄膜。利用WVASE32椭圆偏振仪及变温附件在350nm2500nm波长范围内对相变前后的VO2薄膜及W掺杂VO2薄膜进行光谱测试,运用Lorentz谐振子色散模型结合有效介质近似模型对椭偏参数进行拟合。研究结果表明：W掺杂的VO2薄膜与纯相的VO2薄膜相比,光学常数n,k随波长的变化趋势相同,但W掺杂后的VO2薄膜的折射率n小于纯相的VO2薄膜的折射率,而消光系数k值大于纯相VO2薄膜的k值。这可能是因为W的掺入增加了薄膜的致密度,同时增加了薄膜内部的自由载流子的浓度。
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