【摘 要】
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本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器＃1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层和n+衬底组成,在探测器＃1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和p+层以及p层制备出探测器＃2、＃3和＃4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083;中国科学院传感技术国家重点实验室,北京,100083
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器1、＃2、＃3和＃4并分别测试了它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器＃1光窗口区由透明Pt层、p+层、p层、n-层和n+衬底组成,在探测器＃1的基础上用离子刻蚀的方法分别剥离透明Pt层、透明Pt层和p+层、透明Pt层和p+层以及p层制备出探测器＃2、＃3和＃4.器件的紫外光响应谱表明,紫外响应率最好的是探测器＃2,其次是探测器＃4、＃1、＃3,其中探测器＃2比其它类型的探测器响应率高1个数量级;4种类型的探测器峰值响应位置各不相同,其中探测器＃1位于341nm处,探测器＃2、＃3和＃4分别在312nm、305nm和297nm处.
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