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采用RF-PECVD方法，以硅烷(SiH4)为反应气体，乙硼烷(B2He)为掺杂气体，经氢气稀释后在玻璃衬底上沉积p型氢化非晶硅(a-si：H)薄膜。用XRD和拉曼光谱分析薄膜的微观结构，采用日本岛津的(UV-Vis1601)紫外-可见光分光光度计测试薄膜样品的透过率，利用NKD-7000w光学薄膜分析系统拟舍得出薄膜的吸收系数和厚度，利用Tauc法计算薄膜的光学带隙。利用Keithley 6517B静电计测试薄膜的电导率。
结果表明，随着沉积功率的增大，薄膜透射谱线的吸收边先红移后蓝移，薄膜的吸收系数减小，光学带隙先增大后减小，最宽光学带隙为2.0eV;薄膜的沉积速率在180 w左右时趋于稳定，约为2.0 nm/min，薄膜最大电导率为3.9×10-3S/m。