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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术，保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及太阳电池。首先实现了对本征非晶硅材料光学带隙的调节，光学带隙可以在1.82～1.88 eV之间变化。之后，对p-a-SiC窗口层材料进行了优化，在低功率、低硅烷流量、高氢稀释率的条件下，获得了宽带隙(Eopt=2.02 eV)、高电导率(σd>1×10-7 S/cm)的p-a-SiC材料。将已优化的材料用于单结非晶硅太阳电池，玻璃衬底上效率达到7.5％，PET/ZnO塑料衬底上效率达到6.3％;另一方面，将宽带隙p-a-SiC窗口层材料与宽带隙本征非晶硅材料相结合，获得了开路电压达到1.01 V的单结p-i-n型非晶硅太阳电池，将其应用于非晶硅/微晶硅叠层电池，转换效率达到7.2％。