1700V Planar NPT IGBT的设计

来源 :2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yisheng

【摘要】

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　　本文设计一款1700 V Planar NPT IGBT,首先进行理论分析,从理论上分析IGBT工艺参数与主要器件性能的关系.然后进行工艺设计,并利用TSUPREM4和MEDICI仿真软件,重点研究了

【作者】

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张超李泽宏张金平任敏张波

【机构】

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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054

【出处】

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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会

【发表日期】

：

2011年8期

【关键词】

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绝缘栅双极型晶体管工艺参数优化设计计算机模拟

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　　本文设计一款1700 V Planar NPT IGBT,首先进行理论分析,从理论上分析IGBT工艺参数与主要器件性能的关系.然后进行工艺设计,并利用TSUPREM4和MEDICI仿真软件,重点研究了各工艺参数对器件击穿电压、通态压降以及阈值电压的影响.通过工艺参数优化设计和计算机模拟得到满足设计要求的IGBT：击穿电压BV约 2000V,通态压降Vce(on)约为2.5 V,阈值电压Vth约为5V.

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