【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不高于200℃的温度下,以GeH4和H2为反应气体,在单晶Si(100)衬底上生长出纳米Ge结构,并用TEM、Raman表征其形貌和对比晶化
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不高于200℃的温度下,以GeH4和H2为反应气体,在单晶Si(100)衬底上生长出纳米Ge结构,并用TEM、Raman表征其形貌和对比晶化率.研究发现,随着压强变化,Ge层的结构和光电性质也会随之变化.另外,可通过控制沉积时间来进一步控制纳米Ge的大小,随着沉积时间的增加,纳米Ge从小变大,同时材料的晶化率逐渐增大.最后将nc-Ge/α-Si多层结构作为n-i-p型太阳电池的本征层,使电池的外量子效率在红外响应区域(大于1100nm波长)得到显著增强.
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