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相变存储器是利用相变材料在电或激光脉冲条件作用下可发生晶态和非晶态之间的可逆相变制成的非易失性存储器[1].硅锑碲系列材料是我国拥有自主知识产权的相变材料,这种材料的性能最佳配比为SixSb2Te3,具有功耗低、稳定性好和寿命长等优点,硅的加入有效提高了碲化锑的非晶稳定性.
面向信息存储应用的非晶硅与非晶碲化锑界面特性的第一性原理研究
【摘 要】
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相变存储器是利用相变材料在电或激光脉冲条件作用下可发生晶态和非晶态之间的可逆相变制成的非易失性存储器[1].硅锑碲系列材料是我国拥有自主知识产权的相变材料,这种材料的性能最佳配比为SixSb2Te3,具有功耗低、稳定性好和寿命长等优点,硅的加入有效提高了碲化锑的非晶稳定性.
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春130012 伦
【出 处】
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第十九届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2013年2期
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会议
In this paper, we propose a novel tri-layer film photoelectrode structure in the DSSC.In the tri-layer electrode structure, the bottom layer is composed of tightly interconnected TiO2 nanoparticles, w
会议
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会议
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会议