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作为制备选择性发射极太阳电池的主流技术之一，自对准的光诱导电镀技术以其不受栅线宽度限制的优点，越来越受到太阳电池产业界的重视。然而，应用这种技术之前，需要在电镀区域去除SiO2，在非电镀区域保留SiNχ：H掩模，否则就会出现花片现象。花片增大了遮光面积，影响了电池性能，是光诱导电镀普遍存在的技术难题。本文分析了HF刻蚀SiO2和SiNχ：H的机理，从键能角度研究了选择性刻蚀的可行性。通过添加适量的NH4F，我们使用BOE溶液改善了多晶硅太阳电池花片现象。