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会议论文
脉冲激光淀积高质量ZnO薄膜
脉冲激光淀积高质量ZnO薄膜
来源 :第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yejunlan
【摘 要】
:
利用脉冲激光淀积(PLD)在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,XRD表明,在100℃~400℃温度范围内制备的ZnO薄膜是高度C轴择优取向的,TEM表明,ZnO薄膜的生长机制以柱状生长为主。
【作 者】
:
刘彦松
黄继颇
林成鲁
王连卫
李伟群
【机 构】
:
科学院上海冶金研究所(上海)
【出 处】
:
第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
脉冲激光淀积
质量
薄膜
柱状生长
择优取向
温度范围
生长机制
衬底
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利用脉冲激光淀积(PLD)在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,XRD表明,在100℃~400℃温度范围内制备的ZnO薄膜是高度C轴择优取向的,TEM表明,ZnO薄膜的生长机制以柱状生长为主。
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