【摘 要】
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我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度的CdS壳层,获得了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶。随着CdS壳的厚度的增加,2.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在显著的波长红移,并且其辐射寿命存在显著的变长,但是3.0nm核的CdTe/CdS
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,长春 130033 大连交通大学理学院
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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我们利用发光光谱和荧光寿命分析技术研究了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶的发光特性。用化学方法合成了2.0和3.0 nm的CdTe裸核纳米晶,然后用SILAR技术在它们的表面生长不同厚度的CdS壳层,获得了CdTe/CdS核壳半导体纳米晶。随着CdS壳的厚度的增加,2.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在显著的波长红移,并且其辐射寿命存在显著的变长,但是3.0nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶的发光峰存在略微的波长红移,其辐射寿命没有明显的改变。根据II型和I型的特征,2.0和3.0 nm核的CdTe/CdS核壳纳米晶分别被认为足II型和I型核壳纳米晶。
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