【摘 要】
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半导体工艺中的扩散、氧化、外延等工艺对温度的要求均十分严格,特别是液相外延,不仅要求控温精度高、单点稳定性好,而且在工艺过程中还要求恒温区能够随工艺过程实现平移,并且要求温度过冲小、稳定快.内、外热偶串级温度控制技术由于采用的是以工艺片附近真实工艺温度为控制对象,配以全工艺温度段的PID参数优化组合、跟踪调节运用,从而克服了常规温控方式在温度变化时反应滞后、温度波动大的缺点,以其精确控制和快响应速
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所,长沙,410111
【出 处】
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第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
论文部分内容阅读
半导体工艺中的扩散、氧化、外延等工艺对温度的要求均十分严格,特别是液相外延,不仅要求控温精度高、单点稳定性好,而且在工艺过程中还要求恒温区能够随工艺过程实现平移,并且要求温度过冲小、稳定快.内、外热偶串级温度控制技术由于采用的是以工艺片附近真实工艺温度为控制对象,配以全工艺温度段的PID参数优化组合、跟踪调节运用,从而克服了常规温控方式在温度变化时反应滞后、温度波动大的缺点,以其精确控制和快响应速度较好地实现了热场的高精度、高稳定性.
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