表面氧化对用于扼流圈磁芯非晶合金磁特性的影响

来源 :中国电子学会元件分会电子变压器专业委员会2000年第十届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jinlong230
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
为开发一种无空气隙型扼流圈磁芯,研究了在氧气中退火对FeCrBSiC非晶合金磁特性的影响。在480℃的温度下退火2小时后获得了扼流圈磁芯的最佳磁特性,其中在1MHz的激励频率以下有效导磁率大致恒定在400左右,而且在16的直流偏置电流下,导磁率的降低也非常小。此外,该文还表明,与传统的扼流圈磁芯相比,其交流磁损耗非常低。当退火温度增加时,磁滞曲线倾斜,在480℃以下矫顽力无明显增加且非晶相的显微结构也无变化。扼流圈这些特性,基本上是由于氧化引起的应力与磁致伸缩相互作用的结果。这种相互作用产生垂直钢带表面感应磁性的各向异性现象。同时,也形成了良好的非晶相软磁特性。
其他文献
该文详细研究了液晶光阀光导层用的非晶硅薄的电阻,电容特性。发现薄膜在直流状态下具有良好的光电性能,亮、暗电阻比可达10〈’2.5〉;交流状态下,随频率改变,电容变化不大,电阻变化较大
日头已经爬到松树顶上,满世界都晃动着灼热的火气,像火焰一样从地下冒出来.甚至可以听到荒草被烤干的燥裂声,噼噼啪啪的.
用PCVD工艺及后处理技术可制备质量优良、晶粒大的多晶硅薄膜。磷掺杂的n型多晶硅薄膜,电导率高达0.7(Ω·cm),平均晶粒尺寸大于300nm,晶粒尺寸强烈依赖于掺杂比和膜的原始材料。
该文就变温沉积非晶硅薄膜及其沉积薄膜的性能进行了研究。通过变温沉积并适当控制其它参数,制备了在法线方向上结构具有变化的薄膜,解决了用于液晶光阀的非晶硅光导层的针孔及
本文报道用“不间断生长/退火”FECVD技术,制备了含一定比例(~0.3)微晶成分的非晶硅膜.它具有较小的深缺陷态密度和较好的稳定性,用以制备的非晶硅单结太阳电池稳定效率达到8.
会议
塑料衬底非晶硅太阳电池具有质量轻、厚度薄、功率重量比高和可弯曲性好的优点,具有广阔的应用前景.本文首先介绍了国外对塑料衬底非晶硅太阳电池的研究情况,然后针对塑料衬
该文研究了离子镀TiN/TiN(Re)与离子氮化复合强化模具钢Cr12MoV在空气中拉-压疲劳实验行为。结果表明:离子氮化和离子复合强化均明显提高了模具材料的疲劳强度。表面强化并不改变裂纹源的形成方式