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本文采用高压RF-PECVD技术,制备了不同硅烷浓度的n型硅薄膜,研究了硅烷浓度对n型硅薄膜电学特性和结构特性的影响。将上述n型硅薄膜应用到n-i-p微晶硅太阳电池中,研究了n型掺杂层对n-i-p微晶硅太阳电池性能的影响。在不锈钢衬底上获得转换效率为5.3％(Voc=0.46V,Jsc=17.73mA/cm2,FF=66％)的n-i-p单结微晶硅太阳电池和转换效率为9.5％(Voc=1.21V,Jsc=12.14mA/cm2,FF=65％)的n-i-p叠层太阳电池。