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会议论文
CCD质子和γ射线辐照试验研究
CCD质子和γ射线辐照试验研究
来源 :第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aishangliuning
【摘 要】
:
本文分析了CCD电离辐射效应和位移辐射效应.用10MeV质子和钴60γ射线对CCD进行了辐照试验.分析比较了质子和γ射线辐照实验结果,得出质子辐照时CCD失效是电离效应和位移效应
【作 者】
:
于庆奎
唐民
朱恒静
王文炎
张延伟
【机 构】
:
中国空间技术研究院,电子元器件可靠性中心,北京市9832信箱,100029
【出 处】
:
第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
:
2005年期
【关键词】
:
质子辐照
γ射线辐照
空间辐射效应
位移效应
电离效应
辐照试验
辐照实验
同作用
推断
失效
评估
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本文分析了CCD电离辐射效应和位移辐射效应.用10MeV质子和钴60γ射线对CCD进行了辐照试验.分析比较了质子和γ射线辐照实验结果,得出质子辐照时CCD失效是电离效应和位移效应共同作用的结果.推断得出评估CCD空间辐射效应必须同时考虑位移效应和电离效应.
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