注氮纯铁表面CW-CO#-[2]激光快速熔凝处理

来源 :第三届中国青年材料科学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:farzision
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
其他文献
用MEVVA离子源将La离子注入到单晶硅中形成掺杂层,用XRD、SEM分析了掺杂层的物相和表面形貌。分析表明在强流离子注入后,掺杂层中有硅化物形成,且形成相的种类与注入离子剂量、束流密度及后续
会议
SOI(Silicon on Insulator)技术发展迅速,被认为是21世纪最重要的硅集成电路技术。SOI-CMOS电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中,得到性能良好的SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)和SIMNI(Separation by Implanted Nitrogen)薄膜材料。研
该文介绍了离子注入技术及其在航空液压泵上的成功应用,及该项技术在提高液压泵摩擦副一配流副的可靠性寿命方面的显著作用,初步探索了如何把科研成果转化为主产力,把高新技术转
对柱塞式航空液压泵配流副的渗氮钢配油盘进行N
用离化团簇束(ICB)沉积法制备了C〈,60〉薄膜,X射线衍射(XRD)测试表明薄膜呈多晶结构,其室温电阻率在10〈’3〉Ωcm以上,具有负的电阻温度系数。用80keV的P〈’+〉、BBr〈’+〉〈,3〉、Ar〈’+〉和He〈’+〉对C〈,60〉膜进行