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用离化团簇束(ICB)沉积法制备了C〈,60〉薄膜,X射线衍射(XRD)测试表明薄膜呈多晶结构,其室温电阻率在10〈’3〉Ωcm以上,具有负的电阻温度系数。用80keV的P〈’+〉、BBr〈’+〉〈,3〉、Ar〈’+〉和He〈’+〉对C〈,60〉膜进行了剂量为0~10〈’16〉cm〈’-2〉的离子注入,膜的电阻率随注入剂量的增加而急剧下降,P〈’+〉注入具有n型掺杂作用,离子与C〈,60〉分子的相互作用导致C〈,60〉分子分裂及薄膜表面非晶化。C〈,60〉/Si样品具有异质结整流特性,光照对结的伏安特性有明显影响。在沉积过程中通过溅射掺铝得到p型C〈,60〉膜,掺杂后C〈,60〉/Si结的光电参数得到改善。