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用离化团簇束（ＩＣＢ）沉积法制备了Ｃ〈，６０〉薄膜，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测试表明薄膜呈多晶结构，其室温电阻率在１０〈’３〉Ωｃｍ以上，具有负的电阻温度系数。用８０ｋｅＶ的Ｐ〈’＋〉、ＢＢｒ〈’＋〉〈，３〉、Ａｒ〈’＋〉和Ｈｅ〈’＋〉对Ｃ〈，６０〉膜进行了剂量为０～１０〈’１６〉ｃｍ〈’－２〉的离子注入，膜的电阻率随注入剂量的增加而急剧下降，Ｐ〈’＋〉注入具有ｎ型掺杂作用，离子与Ｃ〈，６０〉分子的相互作用导致Ｃ〈，６０〉分子分裂及薄膜表面非晶化。Ｃ〈，６０〉／Ｓｉ样品具有异质结整流特性，光照对结的伏安特性有明显影响。在沉积过程中通过溅射掺铝得到ｐ型Ｃ〈，６０〉膜，掺杂后Ｃ〈，６０〉／Ｓｉ结的光电参数得到改善。