论文部分内容阅读
SOI(Silicon on Insulator)技术发展迅速,被认为是21世纪最重要的硅集成电路技术。SOI-CMOS电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中,得到性能良好的SIMOX(Separation by Implanted Oxygen)和SIMNI(Separation by Implanted Nitrogen)薄膜材料。研究了SOI材料表面界面的电学性能。