【摘 要】
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本文研究了掺杂浓度及i/p界面氢处理时间对柔性衬底上的nip结构非晶硅(α-Si∶H)太阳电池性能的影响。采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了一系列nip α-Si
【机 构】
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上海空间电源研究所,上海 200233
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本文研究了掺杂浓度及i/p界面氢处理时间对柔性衬底上的nip结构非晶硅(α-Si∶H)太阳电池性能的影响。采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备了一系列nip α-Si∶H薄膜太阳电池样品,测试分析了电池的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,得到了最优掺杂浓度及界面氢处理时间([PH3]/[SiH4](％)=1.0％,[B2H6]/[SiH4](％)=0.5％,t=150s)；聚酰亚胺(PI)和不锈钢(SS)柔性衬底上的α-Si∶H薄膜电池效率分别达到6.4％和8.5％(AM0,25℃)。
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