【摘 要】
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通过研究具有不同缓冲层(950℃)厚度的AlN外延晶片和具有低温插入层(1100℃)的AlN外延晶片,结果表明缓冲层厚度和低温插入层对高温AlN层晶格应力均具有重要调制作用.其中低温
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十八研究所,中国长沙,410111
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通过研究具有不同缓冲层(950℃)厚度的AlN外延晶片和具有低温插入层(1100℃)的AlN外延晶片,结果表明缓冲层厚度和低温插入层对高温AlN层晶格应力均具有重要调制作用.其中低温插入层可有效释放AlN高温层在面内受到的拉伸应力作用,且在高、低温外延层界面处位错易于发生弯折形成位错环,使得晶体质量得到明显改善,缺陷密度降低.测得样品的(002)和(102)摇摆曲线全峰半高宽分别为412arcsec和908 arcsec,明显优于无低温插入层样品.
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