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本文对单晶型700V高压LDMOS进行了优化设计。通过分析影响击穿电压的各种因素，以BCD工艺为基础，借助二维数据模拟软件MEDICI对具有Double-REsURF和场板结构的LDMOS进行模拟优化设计，得到了击穿电压高于700V、导通电阻为290kΩ/μm、开启电压为0.8V的优化值。根据模拟所得到优化值下的典型浓度值得到了实际样品，并对模拟与实测的击穿、转移和输出特性做了对比，实验模拟特性与实际样品测试特性相差很小。