【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了不同硼掺杂浓度的p型μc-Si∶H材料。实验结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,p型μc-Si∶H材料的沉积速率随着掺杂浓度的增大有所
【机 构】
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暨南大学电子工程系,广东广州,510632
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采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了不同硼掺杂浓度的p型μc-Si∶H材料。实验结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,p型μc-Si∶H材料的沉积速率随着掺杂浓度的增大有所增加；掺杂浓度的不同对于材料的结构特性有较大影响,材料的结晶体积分数和平均晶粒尺寸均随着硼掺杂浓度的增大而减小；材料的暗电导随着掺杂浓度的增加呈现出先增大后减小的变化,在掺杂浓度为1％的时候,p层的暗电导率最大,但随着掺杂浓度的进一步增大,暗电导率反而下降；材料的光学带隙随着硼烷的掺杂浓度的增加而单调减小。由实验结果可知,采用1％硼烷进行掺杂时,所制备的p型μc-Si∶H材料具有最高的暗电导率、较高的光学带隙和合理的沉积速率。
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