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Surface acceptor-like trap model for gate leakage current degradation in lattice-matched InAlN/GaN H
【机 构】
：
Key Laboratory of Advanced Process Control for Light Industry(Ministry of Education),Department of E
【出 处】
：
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
【发表日期】
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2015年期
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